HP V6 DDR4 U-DIMM

I moduli SDRAM DDR4 ad alta velocità utilizzano dispositivi SDRAM DDR4 con due o quattro gruppi di banchi di memoria interni. I moduli DDR4 SDRAM che utilizzano dispositivi DDR4 SDRAM a 4 e 8 bit hanno quattro gruppi di banchi interni composti da quattro banchi di memoria ciascuno, per un totale di 16 banchi. I dispositivi SDRAM DDR4 a 16 bit hanno due gruppi di banchi interni composti da quattro banchi di memoria ciascuno, per un totale di otto banchi. I moduli DDR4 SDRAM traggono vantaggio dall’uso di DDR4 SDRAM di un’architettura 8n-prefetch con un’interfaccia progettata per trasferire due parole di dati per ciclo di clock sui pin I / O. Una singola operazione READ o WRITE per DDR4 SDRAM consiste effettivamente in un unico trasferimento di dati a quattro clock a 8 n-bit nel core DRAM interno e in otto trasferimenti di dati a ciclo n-bit e a mezzo clock corrispondenti a i pin I / O.
I moduli DDR4 utilizzano due serie di segnali differenziali: DQS_t e DQS_c per acquisire dati e CK_t e CK_c per acquisire comandi, indirizzi e segnali di controllo. I clock differenziali e i flash stroboscopici assicurano un’eccezionale immunità al rumore per questi segnali e forniscono punti di attraversamento precisi per catturare i segnali di ingresso.